[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200780001405.5 | 申请日： | 2007-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101356643A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 伊藤哲平;和田雅浩;田中宏之;广瀬浩;橘贤也 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;C08J5/24;C08L63/00;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦;方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于防止半导体器件由于温度变化而损坏的技术。当将硅片倒装安装在具有薄型板芯结构的堆积型多层衬底上时，将具有较小的热膨胀系数的板芯用在多层衬底中，并且根据板芯的厚度和热膨胀系数适当地设计底部填料的热膨胀系数和玻璃化转变点。这样，将能够减轻由于温度变化而产生的多层衬底形变所导致的半导体封装内部的应力，从而防止半导体封装由于温度变化而损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：电路板，其包括板芯和堆积层；半导体元件，通过金属凸块连接至所述电路板；以及封装树脂组合物，其填充所述半导体元件和所述电路板之间的间隙；其中所述板芯的厚度至多为500μm；所述板芯在平面方向上从室温到玻璃化转变温度的热膨胀系数至多为15ppm/℃；所述板芯在厚度方向上从室温到玻璃化转变温度的热膨胀系数至多为18ppm/℃；所述封装树脂组合物从室温到玻璃化转变温度的热膨胀系数至少为15ppm/℃、至多为30ppm/℃；并且所述封装树脂组合物通过TMA分析的玻璃化转变温度Tg(℃)满足公式75≤Tg＜112.5T+95，其中T(mm)为所述板芯的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电木株式会社，未经住友电木株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780001405.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固定装置
- 下一篇：远程区域中的压力调节
