[发明专利]半导体设备有效
| 申请号： | 200780001781.4 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101361192A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 吉田英博;永井久雄;北村嘉朗 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 肖鹂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体设备，具有：配置在基板表面的源极电极和漏极电极；隔开所述源极电极和所述漏极电极的沟道间隙；配置在所述源极电极、所述漏极电极、以及所述沟道间隙上的有机半导体层；配置在所述有机半导体层上的绝缘膜；配置在所述绝缘膜上的栅极电极；以及规定所述有机半导体层的隔堤，该半导体设备包括有机半导体元件(A)和有机半导体元件(B)，所述有机半导体元件(A)中，所述隔堤的自所述基板表面的高度高于所述沟道间隙的自基板表面的高度，并且在所述隔堤上形成有沟槽，所述有机半导体元件(B)具有源极电极或漏极电极，所述源极电极或漏极电极通过形成在所述有机半导体元件(A)的隔堤上的沟槽与所述有机半导体元件(A)的栅极电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，具有：配置在基板表面的源极电极和漏极电极；隔开所述源极电极和所述漏极电极的沟道间隙；配置在所述源极电极、所述漏极电极、以及所述沟道间隙上的有机半导体层；配置在所述有机半导体层上的绝缘膜；配置在所述绝缘膜上的栅极电极；以及规定所述有机半导体层的隔堤，其中，该半导体设备包括有机半导体元件(A)和有机半导体元件(B)，所述有机半导体元件(A)中，所述隔堤的自所述基板表面的高度高于所述沟道间隙的自基板表面的高度，并且在所述隔堤上形成有沟槽，所述有机半导体元件(B)具有源极电极或漏极电极，所述源极电极或漏极电极通过形成在所述有机半导体元件(A)的隔堤上的沟槽与所述有机半导体元件(A)的栅极电极连接。
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