[发明专利]宽带光耦合到薄的SOI CMOS集成光路有效
| 申请号： | 200780002232.9 | 申请日： | 2007-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101371175A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 马格利特·吉龙;普拉卡什·约托斯卡;约翰·芳曼;罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里;玛丽·纳多 | 申请（专利权）人： | 斯欧普迪克尔股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王漪;郑霞 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于提供光耦合进和耦合出相对薄的硅波导的装置，所述相对薄的硅波导在SOI结构的SOI层中形成，所述装置包括透镜元件和在SOI结构中界定的、用于以高效的方式提供光耦合的参考表面。波导的输入可来自光纤或光发送器件(激光器)。相似的耦合装置可用在薄的硅波导与输出光纤(单模光纤或多模光纤)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 耦合 soi cmos 集成 | ||
【主权项】：
1.一种用于提供向/来自形成在绝缘体上硅(SOI)结构的上部硅层(SOI层)中的相对薄的硅波导的光耦合的装置，所述绝缘体上硅(SOI)结构包括硅衬底、上覆的隐埋氧化物层和所述上部硅层(SOI层)，所述薄的硅波导形成为包括沿通过所述SOI结构的厚度的一部分形成的深沟槽的端面终端，所述耦合装置包括：透镜元件，其用于将传播的光信号耦合进/出所述薄的硅波导的所述端面终端；参考面，其界定在所述SOI结构的相邻层之间的界面处；以及参考结构，其用于支承所述透镜元件，所述参考结构连接到所述SOI结构，用于提供所述薄的硅波导和所述透镜元件之间的聚焦对准。
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