[发明专利]利用薄氧化物场效应晶体管的数字输出驱动器和输入缓冲器无效
| 申请号： | 200780002249.4 | 申请日： | 2007-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101371441A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | V·斯里尼瓦斯;V·莫汉 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/10 | 分类号： | H03K17/10;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种数字输出驱动器，包括可以用薄氧化物FET实现的前置驱动器(310)和驱动器(360)。前置驱动器(310)基于数字输入信号来生成第一数字信号(14)和第二数字信号(16)。第一数字信号具有由第一(例如焊盘)电源电压(VPAD)和中间电压(VINT)确定的第一电压范围。第二数字信号具有由第二(例如内核)电源电压(VCORE)和电路的地(VSCS)确定的第二电压范围。驱动器接收第一和第二数字信号并提供数字输出信号(VOUT)，该数字输出信号具有由第一电源电压和电路的地确定的第三电压范围。前置驱动器可以包括锁存器(320)和锁存器驱动器(330)。锁存器存储数字输入信号的当前逻辑值。锁存器驱动器向锁存器写入逻辑值。使能锁存器驱动器达一个短的持续时间，以写入逻辑值，随后将其关闭。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氧化物 场效应 晶体管 数字 输出 驱动器 输入 缓冲器 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：锁存器，其被配置成提供具有第一电压范围的第一数字信号，所述第一电压范围由第一电源电压和中间电压确定；以及耦合到所述锁存器的驱动器，其被配置成接收所述第一数字信号和第二数字信号并提供数字输出信号，其中所述第二数字信号具有由第二电源电压和电路的地确定的第二电压范围，其中所述数字输出信号具有由所述第一电源电压和电路的地确定的第三电压范围，并且其中所述第一电源电压高于所述第二电源电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780002249.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多频天线
- 下一篇：一种不结晶蜂蜜的生产方法
