[发明专利]用于碳化硅器件的边缘终端结构和制造包含该结构的碳化硅器件的方法无效
| 申请号： | 200780002384.9 | 申请日： | 2007-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101371362A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 柳世衡;A·K·阿加瓦尔;A·沃德 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;张志醒 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于碳化硅半导体器件的边缘终端结构，包括：位于碳化硅层中的多个间隔的同心浮置保护环(34)，该浮置保护环至少部分围绕基于碳化硅的结；该浮置保护环上的绝缘层；以及位于该浮置保护环之间并且与该绝缘层相邻的碳化硅表面电荷补偿区(38)。在该碳化硅层上有氮化硅层(56)，并且在该氮化硅层上有一有机保护层(66)。在该氮化硅层和碳化硅层表面之间可以有氧化物。同时还公开了形成边缘终端结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 器件 边缘 终端 结构 制造 包含 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于碳化硅半导体器件的边缘终端结构，包括：位于碳化硅层中的多个间隔开的同心浮置保护环，该浮置保护环至少部分围绕基于碳化硅的结；位于该浮置保护环之间并且邻近碳化硅层层表面的碳化硅表面电荷补偿区；在该碳化硅层上的氮化硅层，和在该氮化硅层上的有机保护层。
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