[发明专利]薄膜晶体管和具备该薄膜晶体管的有源矩阵基板以及显示装置

摘要

本发明提供薄膜晶体管和具备该薄膜晶体管的有源矩阵基板以及显示装置。本发明提高薄膜晶体管的电流驱动能力而不会伴随由源极电极/漏极电极与栅极电极之间的漏泄不良或断开特性的降低引起的成品率的降低。本发明的薄膜晶体管包括栅极电极、覆盖栅极电极的绝缘膜、设置在绝缘膜上的半导体层、和设置在绝缘膜和半导体层上的源极电极和漏极电极。绝缘膜是包括第一绝缘层和位于第一绝缘层的上层的第二绝缘层的多层绝缘膜。多层绝缘膜具有未形成第一绝缘层的低叠层区域、和叠层有第一绝缘层与第二绝缘层的高叠层区域。第一绝缘层以至少覆盖栅极电极的边缘的方式形成，半导体层形成为横跨在多层绝缘膜的低叠层区域和高叠层区域两者上。半导体层与低叠层区域以在源极电极与漏极电极之间流过的电流路径必定经由半导体层的位于低叠层区域上的部分的方式配置。

主权项

1.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极电极、覆盖所述栅极电极的绝缘膜、设置在所述绝缘膜上的半导体层、和设置在所述绝缘膜和所述半导体层上的源极电极和漏极电极，其特征在于：所述绝缘膜是包括第一绝缘层和位于所述第一绝缘层的上层的第二绝缘层的多层绝缘膜，所述多层绝缘膜具有未形成所述第一绝缘层的低叠层区域、和叠层有所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的高叠层区域，所述第一绝缘层以至少覆盖所述栅极电极的边缘的方式形成，所述半导体层形成为横跨在所述多层绝缘膜的所述低叠层区域和所述高叠层区域两者上，所述半导体层与所述低叠层区域以在所述源极电极与所述漏极电极之间流过的电流的路径必定经由所述半导体层的位于所述低叠层区域上的部分的方式配置。