[发明专利]用于制备粒状多晶硅的高压流化床反应器有效

专利信息
申请号: 200780004467.1 申请日: 2007-02-07
公开(公告)号: CN101378989A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 金希永;尹卿求;朴容起;崔源春 申请(专利权)人: 韩国化学研究院
主分类号: C01B33/027 分类号: C01B33/027;C30B29/06;C30B28/14
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王健
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及用于制备粒状多晶硅的高压流化床反应器,包括:(a)反应器管,(b)包围该反应器管的反应器壳,(c)在该反应器管内形成的内区,其中形成硅颗粒床和进行硅沉积,和在该反应器壳和该反应器管之间形成的外区,该外区维持在惰性气氛下,和(d)将该内区和该外区中的压力之间的差维持在0-1巴范围内的控制装置,由此能够维持该反应器管的物理稳定性和甚至在较高反应压力下高效地制备粒状多晶硅。
搜索关键词: 用于 制备 粒状 多晶 高压 流化床 反应器
【主权项】:
1.用于制备粒状多晶硅的高压流化床反应器,包括:(a)反应器管;(b)包围该反应器管的反应器壳;(c)在该反应器管内形成的内区和在该反应器壳和该反应器管之间形成的外区,其中在该内区中形成硅颗粒床并且发生硅沉积,而在该外区中不形成硅颗粒床并且不发生硅沉积;(d)用于将气体引入该硅颗粒床的入口装置;(e)出口装置,其包括分别用于将该多晶硅颗粒和尾气从该硅颗粒床排出的硅颗粒出口装置和气体出口装置;(f)用于在该外区中维持基本上惰性气氛的惰性气体连接装置;(g)用于测量和/或控制该内区压力(Pi)或该外区压力(Po)的压力控制装置;和(h)用于维持|Po-Pi|的值在0-1巴范围内的压力差控制装置。
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