[发明专利]屏蔽导体层的切断方法和激光加工装置无效

专利信息
申请号: 200780004572.5 申请日: 2007-02-26
公开(公告)号: CN101378876A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 宫越笃司;仓田忠 申请(专利权)人: 飞腾股份有限公司
主分类号: B23K26/38 分类号: B23K26/38;B23K26/00;B23K26/04;B23K26/06;B23K26/067;H02G1/12;B23K101/36
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种屏蔽导体层的切断方法和激光加工装置,其特征在于,准备具有中心导体、以覆盖该中心导体的方式配置的内部绝缘体、以覆盖该内部绝缘体的方式配置的屏蔽导体层的屏蔽电缆(1);从垂直于所述屏蔽电缆(1)的纵向的至少3方向对所述屏蔽导体层照射激光(12),而切断所述屏蔽导体层;对所述屏蔽导体层照射的激光的相邻的两条光轴产生的角度是低于180°。提供在屏蔽导体层侧面不残留不切断的屏蔽线,从而能充分确保内部导体和屏蔽导体层的绝缘性。
搜索关键词: 屏蔽 导体 切断 方法 激光 加工 装置
【主权项】:
1、一种屏蔽导体层的切断方法,其中,对具有中心导体、以覆盖该中心导体的方式被配置的内部绝缘体、以覆盖该内部绝缘体的方式被配置的屏蔽导体层的屏蔽电缆进行准备;通过从作为相对于所述屏蔽电缆的纵向大致垂直方向的至少3方向对所述屏蔽导体层照射激光,而切断所述屏蔽导体层;照射到所述屏蔽导体层的激光的相邻的两条光轴所成的角度不足180°。
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