[发明专利]为MOS晶体管形成沟槽接触的方法

摘要

一种形成晶体管接触的方法开始于提供晶体管，所述晶体管包括形成于衬底上的栅极叠置体以及第一和第二扩散区，并且还包括形成于所述栅极叠置体和所述扩散区的顶部的电介质层。第一光刻工艺为第一和第二扩散区形成了第一和第二扩散沟槽开口。之后，向所述第一和第二扩散沟槽开口内淀积牺牲层。接下来，第二光刻工艺形成了用于栅极叠置体的栅极叠置体沟槽开口以及将所述栅极叠置体沟槽开口耦合至所述第一扩散沟槽开口的局部互连沟槽开口。所述第二光刻工艺的执行独立于所述第一光刻工艺。之后，去除所述牺牲层，并执行金属化处理，从而采用金属层填充所述第一和第二扩散沟槽开口、栅极叠置体沟槽开口和局部互连沟槽开口。

主权项

1、一种方法，包括：在衬底上提供晶体管，其中，所述晶体管包括形成于所述衬底上的栅极叠置体和至少一个扩散区以及形成于所述栅极叠置体和所述至少一个扩散区的顶部上的电介质层；执行第一光刻工艺，以形成与所述至少一个扩散区接触的扩散沟槽开口；向所述扩散沟槽开口内淀积牺牲层；执行第二光刻工艺，以形成与所述栅极叠置体接触的栅极叠置体沟槽开口，其中，独立于所述第一光刻工艺来执行所述第二光刻工艺；去除所述牺牲层；以及执行金属化工艺，以利用金属层填充所述扩散沟槽开口和栅极叠置体沟槽开口。