[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
申请号: | 200780004930.2 | 申请日: | 2007-02-06 |
公开(公告)号: | CN101379628A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 有满正男 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L21/28 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种发光二极管(10),具有光提取表面,且包括透明衬底(14)、接合到透明衬底的化合物半导体层(13)、包含在化合物半导体层中的发光部分(12)、包含在发光部分中且由(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≤X≤1,0<Y≤1)形成的发光层(133)、设置在发光二极管的与光提取表面相反的表面上的不同极性的第一电极(15)和第二电极(16)、以及形成在第一电极上的反射金属膜(17)。透明衬底具有在接近发光层的一侧上与发光层的发光表面实质上垂直的第一侧面(142)和在远离发光层的一侧上相对于发光表面倾斜的第二侧面(143)。第一和第二电极分别安装在电极端子(43,44)上。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,具有光提取表面,且包括透明衬底、接合到所述透明衬底的化合物半导体层、包含在所述化合物半导体层中的发光部分、包含在所述发光部分中且由(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≤X≤1,0
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