[发明专利]制造图像传感器的方法无效
| 申请号： | 200780005056.4 | 申请日： | 2007-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101379616A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李道永 | 申请（专利权）人： | （株）赛丽康 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 曾永珠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造图像传感器的方法，该图像传感器能够使聚光效率最大化，使得通过微透镜而输入的光被汇聚到光接收元件上。根据本发明，用微透镜或U形氮化膜来使通过微透镜而输入的光的聚光效率最大化。因此，可以改善图像传感器中汇聚到光接收元件上的光的聚光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 图像传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造图像传感器的方法，其包括:(a)在衬底上形成金属布线层；(b)在所述金属布线层上形成内部微透镜；(c)在所述内部微透镜上形成介电层；以及(d)在所述介电层上形成彩色滤光器阵列、保护涂层、以及微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
