[发明专利]带有硅玻璃料结合帽的压力传感器有效
| 申请号： | 200780006554.0 | 申请日： | 2007-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101389940A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | C·E·斯图尔特;G·莫雷尔斯 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘华联 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种结合了硅玻璃料结合帽的压力传感器装置和方法。该压力传感器包括：硅传感器晶片，在其底面带有隔膜；安装在各个传感器晶片顶侧上的硅帽晶片；在传感器晶片上形成的多个硅传感器芯片；硅帽晶片，其被进行刻蚀，以便在隔膜的顶侧上形成多个基准腔；薄的玻璃料，其用以在传感器晶片和帽晶片之间形成晶片-晶片结合。感测器件，例如半导体芯片/传感器、压敏电阻，可以用于感测压力。晶片-晶片玻璃料结合改善了压力传感器的输出信号漂移和热性能，减轻了由阳极焊玻璃晶片形成的热不匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 玻璃 结合 压力传感器 | ||
【主权项】：
1. 一种压力传感器装置，包括：传感器晶片，其构造成在所述传感器晶片的下表面上包括多个隔膜，其中，所述隔膜包括顶侧和底侧；在所述传感器晶片上形成的多个传感器芯片；多个帽芯片，其被刻蚀于帽晶片上，以在所述隔膜的所述顶侧上形成基准腔；薄玻璃料，其在所述帽晶片和所述传感器晶片之间形成晶片-晶片玻璃料结合区，其中，所述帽晶片被对准到并使用所述薄玻璃料结合到所述传感器晶片上，以改善所述压力传感器的热性能，同时减轻热膨胀不匹配，并改善所述压力传感器的输出信号漂移。
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