[发明专利]用于金属移除速率控制的卤化物阴离子有效
| 申请号： | 200780006695.2 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101389724A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李守田 | 申请（专利权）人： | 卡伯特微电子公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋 莉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的化学机械抛光系统包含抛光组分、液体载体、氧化剂及卤素阴离子。本发明的方法包括以该抛光系统对基板进行化学机械抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 速率 控制 卤化物 阴离子 | ||
【主权项】：
1. 一种用于抛光基板的化学机械抛光系统，其包含：(a)抛光组分，其选自抛光垫、研磨剂及其组合；(b)液体载体；(c)氧化剂，其氧化至少部分基板，其中该氧化剂的存在量以该液体载体及溶解或悬浮于其中的任何组分的重量计为0.5重量％或更少；及(d)卤素阴离子，其选自氯化物、溴化物及其组合，其中具有溶解或悬浮于其中的任何组分的该液体载体的pH值为3或更小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡伯特微电子公司，未经卡伯特微电子公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780006695.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
