[发明专利]处理装置和在该处理装置中处理晶片的方法无效
| 申请号： | 200780006990.8 | 申请日： | 2007-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101389786A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 安东尼厄·M·C·P·L·范德柯克霍夫 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种处理装置，包括适用于容纳至少一个要处理的晶片(5)的处理室(2)，处理装置(1)还配置有可与处理室(2)流体连接以在处理期间将处理室(2)中的压强维持在低压范围的泵(3)，其中处理装置(1)配置有可与处理室(2)流体连接以将压强从相对较高压强(例如，大气压)降低到低压范围的第二泵(4)，其中降低压强期间处理室(2)中的气流具有恒定值。本发明还涉及一种用于在这种处理装置(1)中处理晶片(5)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1、一种处理装置，包括适用于容纳至少一个要处理的晶片(5)的处理室(2)，所述处理装置(1)还配置有可与处理室(2)流体连接以在处理期间将处理室(2)中的压强维持在低压范围的泵(3)，其中，处理装置(1)配置有可与处理室(2)流体连接以将压强从诸如大气压的相对较高压强降低到所述低压范围的第二泵(4)，其中降低压强期间处理室(2)中的气流具有恒定值。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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