[发明专利]全速多端口存储器阵列测试方法及设备无效
申请号: | 200780007104.3 | 申请日: | 2007-03-01 |
公开(公告)号: | CN101395675A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 阿南德·克里希纳穆尔蒂;克林特·韦恩·芒福德;拉克希米康德·马米莱蒂;桑贾伊·B·帕特尔 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/34 | 分类号: | G11C29/34 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 通过在处理器操作频率下同时经由两个或两个以上写入端口将数据写入到多端口存储器阵列及/或同时经由两个或两个以上读取端口从所述阵列读取数据来测试所述多端口存储器阵列。可循序地或并行地执行对从所述阵列读取的数据与写入到所述阵列的数据的比较。在正常处理器操作期间,有效地停用比较器电路。通过同时经由多个端口写入及/或读取数据,可暴露潜在的电边际。此外,在半导体制造测试期间,使用多个写入端口来写入测试模式及使用多个读取端口来读取所述模式会显著减少测试时间。 | ||
搜索关键词: | 全速 多端 存储器 阵列 测试 方法 设备 | ||
【主权项】:
1. 一种在处理器中测试具有多个写入端口的存储器阵列的方法,其包含:经由第一写入端口将第一数据模式写入到所述阵列中的第一地址;同时经由第二写入端口将第二数据模式写入到所述阵列中的第二地址;从所述阵列读取所述第一数据模式及所述第二数据模式;及分别将从所述阵列读取的所述第一数据模式及所述第二数据模式与被写入到所述阵列的所述第一数据模式及所述第二数据模式相比较。
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