[发明专利]太阳能电池标记方法和太阳能电池有效
| 申请号： | 200780007131.0 | 申请日： | 2007-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101395724A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 裘格·慕勒;托拉夫·帕特拉夫 | 申请（专利权）人： | Q－细胞公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许 静 |
| 地址： | 德国塔*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池标记工艺，它含有以下工序：准备一个带有一个基底表面的基底，用于制造具有一个活跃区(5)的太阳能电池(1)；运用激光照射在基底表面上生成至少一个凹坑(21、31)，数量至少为一个的凹坑(21、31)构成用来标识太阳能电池(1)的标记(2、3)，生成凹坑(21、31)的步骤在太阳能电池的生产流程开始之前完成，或在此过程中进行。此外，本发明还涉及到一种半导体晶片太阳能电池(1)，该太阳能电池的标记易于识别，标记在得以定位的同时可被准确读取，且不会由此而对太阳能电池(1)的功能造成损害。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 标记 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种太阳能电池标记工艺，含有如下工序：准备一个带有一个基底表面的基底，用于制造具有一个活跃区(5)的太阳能电池(1)；运用激光照射在基底表面上生成至少一个凹坑(21、31)，数量为至少一个的凹坑(21、31)构成用来标识太阳能电池(1)的标记(2、3)，凹坑(21、31)的生成在太阳能电池的生产流程开始之前进行，或在此过程中进行，其特征在于：基底由带有一个晶片表面的半导体晶片构成，晶片表面上的标记(2、3)被以如下方式定位，即：标记(2、3)位于由半导体晶片构成的太阳能电池(1)的活跃区(5)内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
