[发明专利]U形晶体管及相应制造方法

摘要

一种形成具有带源极/漏极区(502、504)和沟道(506)的U形晶体管(500)的存储器的方法，其包括在第一衬底区(308)中形成多个平行的深沟槽(400)和浅沟槽(404)，其中至少一个浅沟槽位于两个深沟槽之间。将导电材料层(454)沉积在所述第一区(308)和第二衬底区(310)上并对其进行蚀刻，以在所述第一区(308)上界定通过间隙隔开的多个线(470)，并在所述第二区(310)上界定多个有源装置元件(460)。从所述第一区中移除所述多个线以形成多个暴露的区域(476)，多个细长沟槽被蚀刻到所述多个暴露的区域(476)中，同时掩蔽所述第二区(310)。

主权项

1. 一种形成设备的方法，所述方法包括：在衬底的第一区中形成多个深沟槽和多个浅沟槽，其中所述浅沟槽中的至少一者位于两个深沟槽之间，且其中所述多个浅沟槽和所述多个深沟槽彼此平行；在所述衬底的所述第一区和第二区上沉积导电材料层；蚀刻所述导电材料层以在所述衬底的所述第一区上界定通过多个间隙隔开的多个线，并在所述衬底的所述第二区上界定多个有源装置元件；掩蔽所述衬底的所述第二区；从所述衬底的所述第一区中移除所述多个线，因而形成从中移除了所述多个线的多个暴露的区域；以及在所述多个暴露的区域中蚀刻多个细长沟槽，同时掩蔽所述衬底的所述第二区。