[发明专利]纳米尺寸EuSe结晶及纳米尺寸EuSe结晶的制造方法有效
申请号: | 200780007629.7 | 申请日: | 2007-02-23 |
公开(公告)号: | CN101395089A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 长谷川靖哉;河合壮;安达隆明 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04;C07F9/06;C07F9/54;C07F9/6564;C08K5/49;C08L101/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了简单制造以往难以制造的纳米尺寸的EuSe结晶的方法。通过将下述通式所示的Eu(III)络合物加热,得到具有与加热条件相应粒径的EuSe结晶。也可以将由Eu(III)络合物、抗衡阳离子、溶剂形成的混合物加热。纳米尺寸EuSe结晶的粒径可以通过加热条件来调节,因此可以容易地控制EuSe结晶的吸收波长。另外,由于也可以容易地制造利用了EuSe结晶的高分散性的磁光感应性塑料,因此可以直接应用至光隔离器等中。 | ||
搜索关键词: | 纳米 尺寸 euse 结晶 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种纳米尺寸EuSe结晶的制造方法,其特征在于,通过将下述通式所示的Eu(III)络合物加热,得到与加热条件相应粒径的纳米尺寸EuSe结晶,式中,n表示1、2、3或4;X表示氧原子、硫原子、硒原子或碲原子;R1与R2相同或不同,表示芳香族基、芳香族基的衍生物、C1~C20的含有饱和键或不饱和键的烷基、C1~C20的含有饱和键或不饱和键的烷基的衍生物、羟基、硝基、氨基、磺酰基、氰基、甲硅烷基、膦酸基、重氮基、巯基、或卤原子。
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