[发明专利]用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法无效
| 申请号： | 200780007656.4 | 申请日： | 2007-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101395294A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 艾伦·麦克蒂尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法。更具体来说，在一个实施例中，提供一种方法，其包括：将氮气引入处理腔室中，其中所述处理腔室包含包括硅的目标；将所述处理腔室放入金属区与中毒区之间的过渡区中；以及向所述目标施加电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 张力 氮化 系统 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，其包括：将氮气引入处理腔室中，其中所述处理腔室包含包括硅的目标；将所述处理腔室放入金属区与中毒区之间的过渡区中；以及向所述目标施加电压。
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