[发明专利]用于研磨半导体晶圆的研磨头无效
| 申请号： | 200780007715.8 | 申请日： | 2007-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN101394971A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 大卫·E·伯克史翠瑟;杰瑞·J·伯克史翠瑟;朴镇吴;丁寅权 | 申请（专利权）人： | 英诺普雷股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B7/30 | 分类号： | B24B7/30 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种研磨头以及处理及研磨半导体晶圆的方法，是使用一基底结构以及至少一凹入区和顺从于至少一凹入区的一外侧可挠式薄膜以形成至少一下沉部，当在所述至少一下沉部施加吸力时将一半导体晶圆保持在所述外侧可挠式薄膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 研磨 半导体 | ||
【主权项】：
1、一种研磨头，其包括：基底结构，具有下表面，所述基底结构设置成在所述下表面上包括至少一凹入区；外侧可挠式薄膜，位于所述基底结构下方，所述外侧可挠式薄膜及所述基底结构形成位于所述基底结构下方的腔室；第一流体通道，可操作地连接至所述腔室，以施加吸力至所述腔室的至少一部分，所述吸力导致所述外侧可挠式薄膜一致于所述基底结构的所述至少一凹入区，使得至少一下沉部形成于所述外侧可挠式薄膜的底表面上；及第二流体通道，延伸通过所述外侧可挠式薄膜，使得当所述吸力被施加于所述腔室时，所述第二流体通道的开口位于所述至少一下沉部中，所述第二流体通道是用以施加另一吸力至所述至少一下沉部，藉以将半导体晶圆保持在所述外侧可挠式薄膜上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英诺普雷股份有限公司，未经英诺普雷股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780007715.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
