[发明专利]硅类液晶取向剂、液晶取向膜及它们的制造方法有效

专利信息
申请号: 200780008122.3 申请日: 2007-03-06
公开(公告)号: CN101395527A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 中岛由美惠;元山贤一;江口和辉 申请(专利权)人: 日产化学工业株式会社
主分类号: G02F1/1337 分类号: G02F1/1337
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 冯 雅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的在于提供可以获得液晶取向性良好且高温下的采用低频的元件驱动时电压保持率高的液晶取向膜的硅类液晶取向剂及其制造方法。液晶取向剂,其特征在于,包含下述的聚硅氧烷(A)、聚硅氧烷(B)和溶解这些聚硅氧烷的有机溶剂。聚硅氧烷(A):将包含以式(1)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷,R1Si(OR2)3 (1);R1表示碳数8~30的有机基团,R2表示碳数1~5的烃基;聚硅氧烷(B):将包含以式(2)表示的四烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷,但不并用以式(1)表示的烷氧基硅烷,Si(OR3)4 (2);R3表示碳数1~5的烃基。
搜索关键词: 液晶 取向 它们 制造 方法
【主权项】:
1. 液晶取向剂,其特征在于,包含下述的聚硅氧烷(A)、聚硅氧烷(B)和溶解这些聚硅氧烷的有机溶剂;聚硅氧烷(A):将包含以式(1)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷,R1Si(OR2)3 (1)R1表示碳数8~30的有机基团,R2表示碳数1~5的烃基;聚硅氧烷(B):将包含以式(2)表示的四烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷,但不并用以式(1)表示的烷氧基硅烷,Si(OR3)4 (2)R3表示碳数1~5的烃基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学工业株式会社,未经日产化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780008122.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top