[发明专利]用于热处理衬底上形成的结构的方法和装置有效
申请号: | 200780008142.0 | 申请日: | 2007-02-23 |
公开(公告)号: | CN101395712A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | A·马耀;M·杨;A·巴拉克里希纳;P·凯里;D·詹宁斯;S·莫法特;W·谢弗;A·N·雷纳;T·N·托马斯;A·M·亨特 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/76 | 分类号: | H01L21/76 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆 嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明一般描述用来在衬底的预期区域上执行退火处理的一种或多种设备及多种方法。在一实施例中,传送一定量的能量至衬底表面以优先熔化衬底的某些预期区域,以去除先前处理步骤造成的不需要的损害,而使掺杂剂更均匀地分布在衬底的各个区域内,和/或活化衬底的各个区域。因为掺杂剂原子在衬底的熔化区内的扩散速率以及溶解度增加,所以该优先熔化处理使这些掺杂剂可更均匀地分布在熔化区内。因而熔化区的创建容许:1)这些掺杂剂原子更均匀地重新分布,2)去除先前处理步骤中所造成的缺陷,以及3)形成具有超陡峭(hyper-abrupt)掺杂剂浓度的区域。 | ||
搜索关键词: | 用于 热处理 衬底 形成 结构 方法 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种热处理衬底的方法,包括:通过在由第一材料形成的衬底中的一个或多个区域内设置第二材料修正所述一个或多个区域,其中以所述第二材料修正所述衬底内的所述一个或多个区域适于降低所述一个或多个区域内所含的所述第一材料的熔点;在所述衬底内的所述一个或多个区域内设置第三材料;以及传送一定量的电磁能量至所述衬底的表面,其与所述一个或多个区域热连通,其中所述量的电磁能量适于使所述一个或多个区域内的所述第一材料熔化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司,未经应用材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780008142.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:U形晶体管及相应制造方法
- 下一篇:光电倍增管和放射线检测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造