[发明专利]用于CMOS图像传感器的像素阵列结构和方法无效
申请号: | 200780008545.5 | 申请日: | 2007-03-14 |
公开(公告)号: | CN101401207A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 李道永 | 申请(专利权)人: | (株)赛丽康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提出了像素阵列结构、互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的像素阵列结构和排列所述像素阵列结构的方法,其中,单位像素与相邻的单位像素在行和列方向上对角地设置。对于所述设置而言,偶数行中的像素阵列相对于奇数行中的像素阵列平移列间距的一半。因此,在以菱形图案实现的像素阵列中,由于光学传感元件之间的距离可以更大,因而可获得具有较大区域的光学触感元件。另外,由于由MOS晶体管构成的像素晶体管电路可设置于光学传感元件之间,因而可显著增大照片敏感度和分辨率。 | ||
搜索关键词: | 用于 cmos 图像传感器 像素 阵列 结构 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种排列CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器的像素的方法,所述CMOS图像传感器由光学传感元件和MOS晶体管构成,所述方法包括以下步骤:(a)通过以菱形图案排列多个单位像素而形成具有多行和多列的单位像素阵列;(b)为了电操作所述多个单位像素,在列方向上延长所述多个单位像素处的信号线以连接至多个单位列解码器中的每一个;以及(c)为了电操作所述多个单位像素,在行方向延长所述多个单位像素处的信号线以连接至多个单位行解码器中的每一个,并将所述信号线排列为两行以连接至单个单位行解码器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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