[发明专利]具有被控编程/擦除的非易失性存储器有效
| 申请号： | 200780008570.3 | 申请日： | 2007-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101501782A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | M·L·尼塞特;D·J·贝蒂;A·E·伯尼;A·J·戈尔曼;S·迈金蒂 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种编程/擦除非易失性存储器(NVM)(14)的方法，包括使用第一系列参数在部分NVM(14)上执行编程/擦除操作(80)。该方法进一步包括确定(82)所述部分NVM(14)中的每个单元是否通过第一裕度级别，如果没有，则确定所述部分NVM(14)中的每个单元通过比第一裕度级别更低的一系列裕度级别中的哪一个。该方法进一步包括基于一系列更低裕度级别中被确定的那一个，修改(92)与针对所述部分NVM(14)的后续编程/擦除操作相关联的一系列参数中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 被控 编程 擦除 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1. 一种编程/擦除非易失性存储器(NVM)的方法，包含：在NVM的一部分上执行编程/擦除操作；确定与编程/擦除操作相关联的至少一个参数的实际值相对于所述至少一个参数的目标值的偏离量；以及基于所述至少一个参数的实际值的偏离量，修改针对所述NVM的部分的后续编程/擦除操作。
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