[发明专利]离子布植方法以及该方法所使用的离子源无效
| 申请号： | 200780008848.7 | 申请日： | 2007-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101401191A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 克里斯多夫·汉特曼;安东尼·雷诺;詹姆斯·E·怀特 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/08;H01J37/317;H01J27/02;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭露一种离子布植方法，其包含自C2B10H12产生C2B10HX离子以及将C2B10HX离子布植进材料中。在一些实施例中，C2B10HX离子的分子量大于100amu。在其他实施例中，C2B10HX离子的分子量为约132至144amu或约136至138amu。亦揭露一种离子源，其包含界定腔室的腔室外壳以及经组态以将C2B10H12引入腔室中的源进料气体供应件，其中离子源经组态以将腔室中的源进料气体离子化为C2B10Hx离子。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 方法 以及 使用 离子源 | ||
【主权项】：
1、一种离子布植的方法，其特征在于其包括以下步骤：自C2B10H12产生C2B10HX离子；以及将所述C2B10HX离子布植进材料中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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