[发明专利]纳米基光电子器件无效

专利信息
申请号: 200780009057.6 申请日: 2007-01-11
公开(公告)号: CN101401218A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: G·所罗门;D·米勒;J·黑尔瓦根 申请(专利权)人: 森沃特纳米体系股份有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 李 玲
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开一种材料结构,该结构是基于将预制的任意形状的纳米晶体插入非晶体、非烃阻挡层的表面或里面。所述结构的实施例包括多个可以被分层的阻挡层和接触点。当所述的结构用作检测器或太阳能电池时,在吸收过程中,在纳米晶体中形成的带电载流子将通过量子力学隧穿/热电子发射或扩散而迁移到电接触点。这种结构的一个实施例是光电器件,其使用不同的接触材料和阻挡层形成一内建偏压。该结构也能作用调节器或发射器。本发明可由许多叠加的结构和共用的邻近的接触区组成,在这种情况下,单独的那些层被转用作吸收、发射或调节特定频率或频率组的光。
搜索关键词: 纳米 光电子 器件
【主权项】:
1. 一种装置,该装置包括:许多个预制的无机纳米晶体;至少一种非烃、非晶体阻隔材料,其中,所述的许多个预制的无机纳米晶体与非烃、非晶体阻隔材料电接触,以及势能垒靠至少一种类型载流子在非晶体、非烃阻隔材料与许多个预制的无机纳米晶体之间迁移而存在;以及至少一导电材料,其与阻隔材料电接触。
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