[发明专利]纳米基光电子器件无效
申请号: | 200780009057.6 | 申请日: | 2007-01-11 |
公开(公告)号: | CN101401218A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | G·所罗门;D·米勒;J·黑尔瓦根 | 申请(专利权)人: | 森沃特纳米体系股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李 玲 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开一种材料结构,该结构是基于将预制的任意形状的纳米晶体插入非晶体、非烃阻挡层的表面或里面。所述结构的实施例包括多个可以被分层的阻挡层和接触点。当所述的结构用作检测器或太阳能电池时,在吸收过程中,在纳米晶体中形成的带电载流子将通过量子力学隧穿/热电子发射或扩散而迁移到电接触点。这种结构的一个实施例是光电器件,其使用不同的接触材料和阻挡层形成一内建偏压。该结构也能作用调节器或发射器。本发明可由许多叠加的结构和共用的邻近的接触区组成,在这种情况下,单独的那些层被转用作吸收、发射或调节特定频率或频率组的光。 | ||
搜索关键词: | 纳米 光电子 器件 | ||
【主权项】:
1. 一种装置,该装置包括:许多个预制的无机纳米晶体;至少一种非烃、非晶体阻隔材料,其中,所述的许多个预制的无机纳米晶体与非烃、非晶体阻隔材料电接触,以及势能垒靠至少一种类型载流子在非晶体、非烃阻隔材料与许多个预制的无机纳米晶体之间迁移而存在;以及至少一导电材料,其与阻隔材料电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的