[发明专利]用于陶瓷MCM C4保护的新颖的可再加工的底部填充有效
申请号: | 200780009519.4 | 申请日: | 2007-06-20 |
公开(公告)号: | CN101405834A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | J·T·科芬;S·P·奥斯特兰德;F·L·蓬佩奥;吴佳俐 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C08G77/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于 静;李 峥 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了包含电子器件的芯片,例如多芯片陶瓷模块(MCM)(10),所述多芯片陶瓷模块(10)包括在基底15上的多个芯片(1 Ia-I Ii),使用可再加工的组合物(16)来底部填充芯片,所述可再加工的组合物(16)允许从装置去除或替换一个或多个芯片。所述可再加工的组合物包含基础树脂与直链可固化成分或优选的直链可固化成分的组合,所述基础树脂是非交联性的并形成基体,所述可固化成分是交联性的并在固化时在所述基础树脂基体中形成交联的域。使用适宜的交联催化剂例如Pt,和可选的填充物优选硅烷表面处理的硅。优选的基础树脂是直链聚二甲基硅氧烷并且优选的可固化成分是乙烯基封端的直链聚二甲基硅氧烷和氢封端的直链聚二甲基硅氧烷。 | ||
搜索关键词: | 用于 陶瓷 mcm c4 保护 新颖 再加 底部 填充 | ||
【主权项】:
1.一种用于C4连接保护的可再加工的底部填充和坝组合物(16)包括:包含非反应基团的非交联性和低交联性基础树脂中的至少一种;至少一种直链交联性成分;用于所述交联性成分的催化剂;以及可选的填充物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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