[发明专利]氮化物单晶的制造装置有效
| 申请号： | 200780009623.3 | 申请日： | 2007-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101405438A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 岩井真;下平孝直;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;山崎史郎 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学;丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B9/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒纯丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种使用含易氧化性物质的助熔剂7生长氮化物单晶的装置，其具有用于收容助熔剂7的坩埚1、用于收容坩埚1并填充至少含氮气的气氛气体的压力容器20、配置在压力容器20内且在坩埚1外的炉体材料15A、15B、安装在炉体材料上的加热器17、18，以及覆盖炉体材料的耐碱性且耐热性的金属层16A、16B。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物单晶的制造装置，其特征在于，该装置使用含有碱金属或碱土类金属的助熔剂生长氮化物单晶，该装置具备：用于收容前述助熔剂的坩锅、用于收容前述坩锅、填充至少含氮气的气氛气体的压力容器、配置在前述压力容器内且在前述坩锅外的炉体材料、安装在前述炉体材料上的加热器以及覆盖前述炉体材料的耐碱性且耐热性的金属层。
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