[发明专利]具有通过使用非晶氧化物膜而形成的栅绝缘层的场效应晶体管有效
| 申请号： | 200780009802.7 | 申请日： | 2007-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101405870A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 加地信幸;薮田久人 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管包括在衬底10上形成的沟道层11、源电极13、漏电极14、栅绝缘层12和栅电极15。该沟道层由非晶氧化物制成，并且该栅绝缘层由包含Y的非晶氧化物制成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通过 使用 氧化物 形成 绝缘 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括在衬底上形成的沟道层、源电极、漏电极、栅绝缘层和栅电极，其特征在于，所述沟道层由非晶氧化物制成，并且所述栅绝缘层由包含Y的非晶氧化物制成。
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