[发明专利]高纵横比触点无效
| 申请号： | 200780010481.2 | 申请日： | 2007-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101410957A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 阿龙·R·威尔逊 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种用于通过将具有至少百分之五十(50)He的第一气体蚀刻剂供应到等离子体蚀刻反应器并将绝缘层暴露于所述第一气体蚀刻剂的等离子体来蚀刻所述绝缘层以产生具有至少15∶1的纵横比的开口的方法。使用所述第一气体蚀刻剂可减少绝缘层中具有至少15∶1的纵横比的开口中的扭曲的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 纵横 触点 | ||
【主权项】：
1、一种用于蚀刻绝缘层的方法，其包括：将具有至少百分之五十(50)He的第一气体蚀刻剂供应到等离子体蚀刻反应器；及将所述绝缘层暴露于所述第一气体蚀刻剂的等离子体以用所述等离子体蚀刻具有至少15∶1的纵横比的开口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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