[发明专利]光传感器无效
申请号: | 200780010536.X | 申请日: | 2007-03-26 |
公开(公告)号: | CN101410981A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 约翰内斯·阿德里安乌斯·彼得鲁斯·莱杰滕斯;扬·霍普曼 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用科学研究会(TNO) |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0203;H01L31/0216;H01L31/02;B64G1/36;H01L25/04 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;尚志峰 |
地址: | 荷兰代*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 光传感器,包括:不透光层(1),具有第一透光孔(2);以及传感器阵列(3),包括光电传感器元件(3a-3d)的阵列;以及透光固态第一承载层(4),其一侧提供有该不透光层以及在其另一侧提供有该传感器阵列层。通过以下步骤能够制造多个光传感器:选择适合用作该多个光传感器的透光固态第一承载层的第一衬底(4);在第一衬底的一侧为多个光传感器提供其中的每个均包括孔(2)的不透光层(1),以及在第一衬底的另一侧为多个光传感器提供传感器阵列层(3),以及最后,分离单个的光传感器(7a-7b)。光传感器可包括集成光电电源(8、9)。 | ||
搜索关键词: | 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种光传感器,包括:不透光层(1),具有第一透光孔(2);第一传感器层(3),包括光电传感器元件;以及隔离装置,在所述不透光层和所述传感器层之间,所述隔离装置包括透光固态第一承载层(4),位于所述第一承载层的一侧,以及所述传感器层位于所述第一承载层的另一侧,其特征在于,所述不透光层(1)包括:第二透光孔(8),设置在所述透光第一承载层(4)的所述一侧,以及其中,第二传感器层(9),包括多个光电传感器元件,设置在所述透光第一承载层(4)的所述另一侧;其中,处理模块(10),设置在所述层4上,并电连接到所述第一和第二传感器层(3,9),所述第二传感器层(9)向所述处理模块(10)提供集成光电电源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于荷兰应用科学研究会(TNO),未经荷兰应用科学研究会(TNO)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780010536.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:专用基材砖及其制造方法
- 下一篇:带有电气部件的基板的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的