[发明专利]具有应力沟道区域的改善的CMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200780010670.X | 申请日： | 2007-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101410968A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈向东;T·迪勒;K·塞特尔迈尔;杨海宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/04;H01L29/10;H01L29/165 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;李 峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有应力沟道区域的改善的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。具体而言，每个改善的CMOS器件包括具有位于半导体器件结构中的沟道区域的场效应晶体管(FET)，所述半导体器件结构具有顶表面和一个或多个附加的表面，所述顶表面沿第一组的等价的晶体平面中的一个取向，以及所述一个或多个附加的表面沿不同的第二组的等价的晶体平面取向。可以通过晶体蚀刻容易地形成这样的附加的表面。此外，具有固有拉伸或压缩应力的一个或多个应力源层位于所述半导体器件结构的所述附加的表面之上并被设置和构建为向所述FET的所述沟道区域施加拉伸或压缩应力。可以通过假晶生长具有与所述半导体器件结构不同的晶格常数的半导体材料来形成这样的应力源层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 沟道 区域 改善 cmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：场效应晶体管(FET)，具有位于半导体器件结构中的沟道区域，所述半导体器件结构具有顶表面和一个或多个附加的表面，所述顶表面沿第一组的等价的晶体平面中的一个取向，所述一个或多个附加的表面沿不同的第二组的等价的晶体平面取向，其中一个或多个应力源层位于所述半导体器件结构的所述一个或多个附加的表面之上并被设置和构建为向所述FET的所述沟道区域施加应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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