[发明专利]通过超快退火非晶材料外延硅碳替位固溶体无效
| 申请号： | 200780010735.0 | 申请日： | 2007-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101506944A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 刘孝诚;O·格卢斯陈克夫;K·里姆;A·马登;J·霍尔特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;李 峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过超快退火非晶的包含碳的硅材料可以获得硅碳的外延替位固溶体(101)。在这样的温度下进行退火，所述温度高于重结晶点但低于材料的熔点，并优选地在所述温度范围内持续小于100毫秒。优选地，所述退火为闪光退火或激光退火。所述方法能够制造外延的包含硅和碳的材料(101)，其中基本上所述碳原子的一部分在替位的晶格位置处。在需要存在外延的Si1-yCy，y＜0.1用于应力设计或带隙设计的情况下，所述方法在CMOS工艺和其它电子器件制造中尤为有用。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 退火 材料 外延 硅碳替位 固溶体 | ||
【主权项】：
1. 一种形成包含硅和碳的合金的外延结构(101)的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供衬底(100)，所述衬底(100)具有包含硅和碳原子的非晶区域，以及(b)超快退火所述非晶区域以结晶化所述区域，由此使所述碳原子的至少一部分占据在所述区域中产生的晶体材料中的晶格位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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