[发明专利]在外延生长源漏区上选择性淀积覆盖层的结构与制造方法有效
| 申请号： | 200780010781.0 | 申请日： | 2007-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101410960A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | T·小库克;B·泽尔;A·穆尔蒂 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了改进自对准多晶硅化物的接触形成并减小晶体管的外部电阻的方法和装置。在衬底表面形成栅电极。在衬底中各向同性地蚀刻源区和漏区。在源区和漏区中用硼在原位对硅锗合金进行掺杂。在该硅锗合金上淀积硅。在该硅上淀积镍。在该硅锗合金上形成镍硅锗硅化物层。在该镍硅锗硅化物层上形成镍硅硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 源漏区上 选择性 覆盖层 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在衬底表面上形成栅电极；在所述衬底中各向同性地蚀刻源区和漏区；在所述源区和所述漏区中淀积硅锗合金；在所述硅锗合金上淀积材料的牺牲层，该牺牲层的锗浓度低于所述硅锗合金的锗浓度；在所述牺牲层上淀积金属；在所述硅锗合金上形成第一硅化物层；以及在所述第一硅化物层上形成第二硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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