[发明专利]高效率和/或高功率密度宽带隙晶体管有效
| 申请号： | 200780010923.3 | 申请日： | 2007-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101410985A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 吴毅锋;P·帕里克;U·米什拉;M·穆尔 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;李家麟 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种至少在4GHz的频率处操作时，具有功率密度大于40W/mm的场效应晶体管。可以在135V的漏极电压的条件下具有至少40W/mm的功率密度。还提供在10GHz操作时，在漏极偏压从28V到48V的情况下，具有大于60％的PAE且功率密度至少为5W/mm的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 高效率 功率密度 宽带 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：III族氮化物沟道层；在所述III族氮化物沟道层之上的栅极接触，该栅极接触被设置为当电压施加到所述栅极接触上时调制所述沟道层的导电率，所述栅极接触具有设置为在超过1GHz的频率的情况下允许对所述沟道层的所述导电率进行调制的长度；在所述III族氮化物沟道层之上的源极接触和漏极接触；在所述栅极接触之上的绝缘层；以及在所述绝缘层之上的场板，其电耦合到所述源极接触，其中所述场效应晶体管在至少为4GHz频率的情况下，在连续波或脉冲操作下，显示出大于40W/mm的功率密度。
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