[发明专利]发光元件的制造方法、化合物半导体晶圆及发光元件有效
| 申请号： | 200780011180.1 | 申请日： | 2007-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101410996A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 久米史高;筱原政幸 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光元件的制造方法，是在成长用单结晶基板1上，依次外延生长由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体所构成的发光层部24与电流扩散层7，其中，依次实施以有机金属气相成长法将发光层部24外延生长于成长用单结晶基板1上的有机金属气相成长步骤、以及以氢化物气相成长法将电流扩散层7外延生长于发光层部24上的氢化物气相成长步骤。然后，使电流扩散层7具有位于靠近发光层部24之侧的低速成长层7a、与连接该低速成长层7a的高速成长层7b，在氢化物气相成长步骤中，将低速成长层7a的成长速度设定为小于高速成长层7b的成长速度来成长。由此，使用氢化物气相成长法形成厚的电流扩散层时，可抑制凸起的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 化合物 半导体 | ||
【主权项】：
1、一种发光元件的制造方法，是在成长用单结晶基板上，依次外延生长分别由III-V族化合物半导体所形成的发光层部与电流扩散层，其特征在于，依次实施以下两步骤：有机金属气相成长步骤，是在该成长用单结晶基板上以有机金属气相成长法外延生长上述发光层部；氢化物气相成长步骤，是在该发光层部上以氢化物气相成长法外延生长上述电流扩散层；且使该电流扩散层成长为具有位于靠近该发光层部之侧的低速成长层与连接该低速成长层的高速成长层。
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