[发明专利]微电子中的铜电沉积

摘要

一种电解镀方法和一种用于将铜电解镀至具有亚微尺寸互连结构的半导体集成电路基材上的混合物，所述混合物含有铜离子源和一种含有聚醚基团的抑制剂化合物。所述方法是一种快速的自底向上的超级填充沉积法，所述超级填充的速度使得自互连结构底部至顶部开口的垂直方向的铜沉积速度比铜在侧壁的沉积速度快。

主权项

1. 一种将铜沉积物电解镀至具有包括亚微结构的电互连结构的半导体集成电路设备基材上的方法，所述亚微结构具有基材、侧壁、顶部开口，该方法包括：将半导体集成电路设备基材浸入电解镀混合物中，混合物包含一种酸，一种铜离子源和一种抑制剂化合物；所述铜离子源中铜离子的量足以电解沉积铜至基材上，并进入电互连结构；所述抑制剂化合物为与含有醇衍生的醚基团的引发基元共价键合的聚醚链，可溶解并共存于镀液中并且具有以下结构式：R1——O——R2——R3其中，R1是引发基元，衍生自取代或无取代的具有1至12个碳原子的非环醇、取代或无取代的优选的具有5到7个碳原子的环醇或含有一个羟基基团的多元醇；R2含有EO单元和PO单元的无规聚醚链；R3选自由氢、取代或无取代的烷基基团、芳基基团、芳烷基基团或杂芳基基团；向电解混合物提供电流使铜沉积至基材上并通过由下至上的快速沉积超级填充亚微结构。