[发明专利]场效应晶体管无效
| 申请号： | 200780011908.0 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101416289A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 中山达峰;安藤裕二;宫本广信;冈本康宏;井上隆;大田一树;村濑康裕;黑田尚孝 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种场效应晶体管(100)包括包含异质结的III-V族氮化物半导体层结构；彼此分离地形成在所述III-V族氮化物半导体层结构上的源电极(105)和漏电极(106)；栅电极(110)，其布置在所述源电极(105)和所述漏电极(106)之间；以及绝缘层(107)，其在所述栅电极(110)和所述漏电极(106)之间的区域内和在所述源电极(105)和所述栅电极(110)之间的区域内，通过与所述III-V族氮化物半导体层结构接触来布置。栅电极(110)的一部分掩埋在所述III-V族氮化物半导体层结构内，并且在所述III-V族氮化物半导体层与所述绝缘层(107)之间的界面的栅电极侧端与所述栅电极(110)隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种场效应晶体管，其包括：III-V族氮化物半导体层结构，其包含异质结；彼此相间隔的源电极和漏电极，其形成在所述III-V族氮化物半导体层结构上；栅电极，其布置在所述源电极和所述漏电极之间；以及覆盖层，其提供在所述栅电极和所述漏电极之间的区域内或者在所述源电极和所述栅电极之间的区域内的所述III-V族氮化物半导体层结构之上并且与其接触，其中，所述栅电极的一部分掩埋在所述III-V族氮化物半导体层结构内，并且其中，所述III-V族氮化物半导体层与所述覆盖层的界面的栅电极一侧的端部与所述栅电极相间隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780011908.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：彩色图像传感器、彩色滤光片及其制造方法
- 下一篇：晶片的分割方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
