[发明专利]使用自对准相变材料层的相变存储器元件及其制造和使用方法有效
| 申请号： | 200780012027.0 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101416326A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 刘军 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器元件及其形成方法。所述存储器元件包含支撑第一电极的衬底。绝缘材料元件位于所述第一电极上，且相变材料层形成于所述第一电极上，并且围绕所述绝缘材料元件，使得所述相变材料层具有与所述第一电极电连通的下表面。所述存储器元件还具有第二电极，其与所述相变材料层的上表面电连通。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 对准 相变 材料 存储器 元件 及其 制造 使用方法 | ||
【主权项】：
1. 一种存储器元件，其包括：衬底，其支撑第一电极；绝缘材料元件，其位于所述第一电极上；相变材料层，其位于所述第一电极上且围绕所述绝缘材料元件，所述相变材料具有与所述第一电极电连通的下表面；以及第二电极，其与所述相变材料层的上表面电连通。
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