[发明专利]用于联合改变材料、单元工艺和工艺顺序的方法和装置无效
申请号: | 200780012793.7 | 申请日: | 2007-02-12 |
公开(公告)号: | CN101421433A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 托尼·P·江;戴维·E·拉佐夫斯凯;库尔特·魏纳;格斯·平托;托马斯·布西埃;萨莎·格雷尔 | 申请(专利权)人: | 分子间公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;G01N33/20;H01L21/66;G01R31/26;A23B4/12;A23J3/34 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王昭林;崔 华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供一种利用材料、单元工艺、和工艺顺序的改变分析和优化半导体制造技术的方法。在该方法中,分析半导体制造工艺顺和构造的子集用于优化。在执行制造工艺顺序子集期间,改变用于创建某种结构的材料、单元工艺、和工艺顺序。在联合处理期间,在半导体衬底的离散区域之间改变材料、单元工艺或工艺顺序,其中在每一区域内,该工艺产生基本均匀或一致的结果,该结果代表商品半导体制造过程的结果。还提供一种用于优化工艺顺序的设备。 | ||
搜索关键词: | 用于 联合 改变 材料 单元 工艺 顺序 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种用于评价适于制造器件的材料、单元工艺、和工艺顺序的方法,其包括:通过改变材料、单元工艺或工艺顺序中之一用联合方式处理第一衬底上的区域;测试所述第一衬底上的该处理过的区域;基于所述第一衬底上的所述处理过的区域的测试结果,通过改变单元工艺或工艺顺序中之一用联合方式处理第二衬底上的区域;以及测试所述第二衬底上的该处理过的区域。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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