[发明专利]带静电放电保护的RF晶体管

摘要

本发明提出的电子器件包括：RF晶体管(100)，其设计用于基本RF频率，并与带有另一晶体管(200)的静电保护结构(250)集成为一体。晶体管适宜为MOS晶体管，有栅极、源极和漏极，其中源极耦合至接地的衬底区。另一晶体管的漏区耦合至RF晶体管(100)的栅极，在加入某一输入电压的条件下，在另一晶体管的漏区与接地的衬底区之间形成寄生二极管(300)。提供有滤波器(350)，用于从寄生二极管(300)中滤去基本RF频率。

主权项

1. 一种电子器件，包括：RF晶体管，设计用于基本RF频率，并与带有另一晶体管的静电保护结构集成为一体，每一晶体管包括：(1)半导体衬底栅极区上的栅极介电层，(2)栅极介电层的至少一部分上的栅极，以及(3)半导体衬底中邻近栅极的源区和漏区，其中源区耦合至接地的衬底区，其中，另一晶体管的漏区耦合至RF晶体管的栅极，在加入某一输入电压的条件下，在另一晶体管的漏区与接地的衬底区之间形成寄生二极管，以及提供有滤波器，用于从寄生二极管中滤去基本RF频率。