[发明专利]三族氮化物半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200780013435.8 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101421858A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 笠原健司;上田和正;小野善伸 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈 平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供三族氮化物半导体发光元件及其制造方法。三族氮化物半导体发光元件，依次包含(a1)、(b1)及(c1)，即：(a1)N电极；(b1)半导体多层膜；(c1)透明导电性氧化物P电极，在此，半导体多层膜依次包含N型半导体层、发光层、P型半导体层、n型杂质浓度为5×1018cm且半导体多层膜具有凸部。另外，三族氮化物半导体发光元件包含(a2)、(b2)及(c2)，即：(a2)透明导电性氧化物N电极；(b2)半导体多层膜；(c2)P电极，在此，半导体多层膜依次包含n型杂质浓度为5×1018cm导体层，P型半导体层与P电极接触，且半导体多层膜具有凸部。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种三族氮化物半导体发光元件，其中，依次包含(a1)、(b1)及(c1)，即：(a1)N电极；(b1)半导体多层膜；(c1)透明导电性氧化物P电极，在此，半导体多层膜依次包含N型半导体层、发光层、P型半导体层、n型杂质浓度为5×1018cm-3～5×1020cm-3的高浓度N型半导体层，N型半导体层与N电极接触，且半导体多层膜具有凸部。
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