[发明专利]对集成电路进行临界尺寸控制的修整工艺无效

申请号：	200780013652.7	申请日：	2007-03-05
公开（公告）号：	CN101421824A	公开（公告）日：	2009-04-29
发明（设计）人：	米尔扎菲尔·K·阿巴切夫;克鲁帕卡尔·穆拉利·苏布拉马尼安;周宝锁	申请（专利权）人：	美光科技公司
主分类号：	H01L21/033	分类号：	H01L21/033;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/3213
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人：	王允方
地址：	美国爱***	国省代码：	美国;US
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摘要：	本发明揭示采用修整工艺对集成电路进行临界尺寸控制的蚀刻衬底的方法。在一个实施例中，所述蚀刻方法包含：在靶层(120)上提供第一硬掩模层(130)；在所述第一硬掩模层(130)上提供第二硬掩模层(140)；在所述第二硬掩模层(140)上提供光致抗蚀剂层(150)；在所述光致抗蚀剂层(150)中形成图案；将所述图案转移到所述第二硬掩模层(140)中；以及用所述第二硬掩模层(140)顶上的所述光致抗蚀剂层(150)来修整所述第二硬掩模层(140)。在修整蚀刻期间，所述第二硬掩模层(140)的顶表面受所述光致抗蚀剂(150)保护，且所述靶层(120)受所述上覆的第一硬掩模层(130)保护，因此，所述修整蚀刻可以是腐蚀性的。
搜索关键词：	集成电路进行临界尺寸控制修整工艺
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【主权项】：

1. 一种用于集成电路的蚀刻方法，其包括：在靶层上提供第一硬掩模层；在所述第一硬掩模层上提供第二硬掩模层；在所述第二硬掩模层上提供抗蚀剂层；在所述抗蚀剂层中形成图案；将所述图案转移到所述第二硬掩模层中；以及用所述第二硬掩模层顶上的所述抗蚀剂层来修整所述第二硬掩模层。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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