[发明专利]用于CVD金刚石膜成核的化学连接的金刚烃无效
| 申请号： | 200780014524.4 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101426966A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | J·E·达尔;R·M·卡尔森;W·博克哈里;刘升高 | 申请（专利权）人： | 雪佛龙美国公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B23/02;C30B25/02;C30B25/18;H01L29/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 孙 爱 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了金刚石膜成核生长的新方法。所述方法包括提供具有与其化学连接的金刚烃的基材，该化学连接的金刚烃用作优良的成核点，和然后促进所述金刚石膜的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cvd 金刚石 成核 化学 连接 金刚 | ||
【主权项】：
1. 金刚石膜成核生长的方法，包括提供所述膜待成核于其上的基材，其中至少一种金刚烃化学连接到所述基材上。
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