[发明专利]硫属元素层的高生产量印刷和金属间材料的使用无效
| 申请号： | 200780014627.0 | 申请日： | 2007-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101443892A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 耶罗恩·K·J·范杜伦;克雷格·R·莱德赫尔姆;马修·R·鲁滨逊 | 申请（专利权）人： | 耶罗恩·K·J·范杜伦;克雷格·R·莱德赫尔姆 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于形成IB族-IIIA族-硫属元素化物化合物膜的前体材料的高生产量印刷的方法和装置。在一个实施方案中，该方法包括在衬底上形成前体层，其中，前体层包括一个或多个不连续层。这些层可以包括含一种或多种IB族元素和两种或更多种不同IDA族元素的至少第一层和含单质硫属元素颗粒的至少第二层。可以将前体层加热至足以熔化硫族元素颗粒并使硫属元素颗粒与前体层中的一种或多种IB族元素和IDA族元素反应的温度以形成IB-IIIA族硫属元素化物化合物。前体层中的至少一组颗粒是含有至少一种IB-IIIA族金属间合金相的金属间颗粒。该方法还可以包括制造IB-IIIA族硫属元素化物化合物的膜，其包括将纳米颗粒和/或纳米小球和/或纳米液滴混合以形成油墨，将该油墨沉积在衬底上，加热以便融化额外的硫属元素并使硫属元素与IB族和IIIA族元素和/或硫属元素化物反应以形成致密膜。 | ||
| 搜索关键词： | 元素 生产量 印刷 金属 材料 使用 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，其包括：在衬底上形成前体层；以及在一个或多个步骤中使前体层反应以形成吸收层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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