[发明专利]光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 200780014639.3 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101427392A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·伊莱克 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;高少蔚 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供了一种光电子半导体芯片(1)，该光电子半导体芯片(1)具有半导体主体(2)，该半导体主体(2)包括半导体层序列和适合于产生辐射的活性区，并且该光电子半导体芯片(1)具有辐射可透过并且导电的接触层(6)，该接触层(6)布置在半导体主体上并且导电地连接到活性区，其中接触层在半导体层序列中的阻挡层(5)之上和半导体层序列中的连接层(4)之上延伸，并且其中接触层经由连接层的连接区(7)导电地连接到活性区。还提供了一种用于产生适合于产生辐射的光电子半导体芯片的接触结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1. 一种光电子半导体芯片(1)，其具有半导体主体(2)，所述半导体主体(2)包括半导体层序列和适合于产生辐射的活性区(3)，并且所述光电子半导体芯片(1)具有辐射可透过并且导电的接触层(6)，所述接触层(6)布置在所述半导体主体上并且导电地连接到所述活性区，其中所述接触层在所述半导体层序列中的阻挡层(5)之上和所述半导体层序列中的连接层(4)之上延伸，并且其中所述接触层经由所述连接层的连接区(7)导电地连接到所述活性区。
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