[发明专利]制造半导体器件的方法、由此获得的半导体器件和适合该方法中使用的浆料无效
| 申请号： | 200780014643.X | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101584028A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 斯丹·科尔迪克 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造具有衬底(11)和半导体本体(2)的半导体器件(10)的方法，所述半导体器件配置有至少一个半导体元件，并且所述半导体器件的表面由通过化学机械抛光工艺形成图案的铝层(3)覆盖，其中半导体器件(10)覆盖有铝层的一侧(3)压在抛光垫(5)上，并且半导体器件(10)和抛光垫(5)相对运动，将pH值小于12的包含研磨剂的浆料(6)设置在抛光垫(5)和半导体器件(10)之间，并且继续抛光工艺直至已经去除足够数量的铝层(3)。根据本发明，在器件(10)和抛光垫(5)之间的浆料(6)具有小于5的pH值，这通过只使用其铝盐能够很好地溶解在浆料(6)中的酸来获得。通过这种方法，可以以可重复的方式获得器件(10)，所述器件(10)具有包括反射的和没有缺陷的铝图案(3)。采用包括乳酸的浆料(6)，已经获得好的结果。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 由此 获得 适合 使用 浆料 | ||
【主权项】：
1、一种制造具有衬底(11)和半导体本体(2)的半导体器件(10)的方法，所述半导体器件配置有至少一个半导体元件，并且所述半导体器件的表面由通过化学机械抛光工艺形成图案的铝层(3)覆盖，其中半导体器件(10)以覆盖有铝层的一侧(3)压在抛光垫(5)上，并且半导体器件(10)和抛光垫(5)相对运动，将pH值小于12的包含研磨剂的浆料(6)设置在抛光垫(5)和半导体器件(10)之间，并且继续抛光工艺直至已经去除足够数量的铝层(3)，其特征在于，浆料(6)具有小于5的pH值，这通过只使用其铝盐能够容易地溶解在浆料(6)中的酸来获得。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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