[发明专利]用于光探测器阵列的前侧电触点及其制造方法无效
| 申请号： | 200780014816.8 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101432885A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 罗宾·威尔逊;康纳尔·布罗冈;休·J·格里芬;科马克·麦克纳马拉 | 申请（专利权）人： | 艾斯莫斯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;谢丽娜 |
| 地址： | 英国北*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种光电二极管，其包括半导体，该半导体具有前和后侧表而以及由本征层分开的具有相反导电性的第一和第二有源层。填充有导电材料的多个隔离沟槽延伸到第一有源层中，将光电二极管分成多个单元，并形成与每个单元下方的第一有源层电连通的中心沟槽区。侧壁有源扩散区沿着每个侧壁延伸沟槽深度，并通过用第一导电性的掺杂剂掺杂至少部分侧壁而形成。第一触点经由中心沟槽区与每个单元下方的第一有源层电连通。多个第二触点分别与所述多个单元之一的第二有源层电连通。第一和第二触点形成在光电二极管的前表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 探测器 阵列 前侧电 触点 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种光电二极管，该光电二极管包括：半导体，该半导体具有前表面和后侧表面并且包括：具有第一导电性的第一有源层，具有与第一导电性相反的第二导电性的第二有源层，和将第一和第二有源层分开的本征层；多个隔离沟槽，具有穿过第二有源层和本征层延伸到第一有源层中的深度，该隔离沟槽设置为将光电二极管分成多个单元，且该隔离沟槽设置为形成与所述多个单元中每一个下方的第一有源层电连通的中心沟槽区；侧壁有源扩散区，沿着每个隔离沟槽侧壁延伸隔离沟槽深度，并通过用第一导电性的掺杂剂掺杂隔离沟槽的至少部分侧壁而形成；填充隔离沟槽的导电材料；经由中心沟槽区与所述多个单元中每一个下方的第一有源层电连通的第一电触点；和分别与所述多个单元之一的第二有源层电连通的多个第二电触点，第一电触点和所述多个第二电触点形成在光电二极管的前表面上。
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