[发明专利]使用光学以及非反射功率方法的低功率RF调整有效
| 申请号： | 200780015059.6 | 申请日： | 2007-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101432848A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | J·P·格鲁斯;T·K·瓜里尼;J·C·皮尔斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施态样包含通过使用一等离子数据监控组件而用来监控及调整一基板处理系统中的等离子的方法及设备。举例来说，可使用适于测量在电磁光谱的一特定部份上的光性质的光学仪器，以侦测一或多个来自等离子的波长强度。接着，一电子装置(例如一计算机软件)可分析该波长强度，且接着可调整一匹配电路。以此方式，可获得一致的等离子。在其它实施例中，本发明可利用腔体压力、基板温度、线圈电流、及/或等离子之间的关系，以调整并维持一可重复的等离子工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 光学 以及 反射 功率 方法 rf 调整 | ||
【主权项】：
1. 一种在基板处理系统中监控等离子的方法，包含：监控由腔体内部的等离子反射的反射电磁辐射；使该反射电磁辐射与该处理系统中的射频功率产生关联性；及调整匹配电路以维持可重复的等离子条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
