[发明专利]静态随机存取存储器泄漏减小电路

摘要

提供用于将静态随机存取存储器阵列的虚地节点维持在足够用于维持数据保持的最小水平的方法和系统。电路能够将虚地节点维持在虚地参考电压V_DD-(1.5＊V_th)，或跨过存储器单元维持1.5＊V_th，其中，V_th为静态随机存取存储器存储器单元晶体管的阈值电压，并且V_DD为正供给电压。通过跟踪静态随机存取存储器阵列中的存储器单元晶体管的V_th，电路在维持数据完整性的同时减小泄漏电流。阈值电压参考电路能够包括一个或多个存储器单元晶体管(并行)或特殊地布线的存储器单元，以跟踪存储器单元晶体管阈值电压。虚地参考电压的值能够基于乘法器电路中的反馈链元件的比率。

主权项

1. 用于将静态随机存取存储器(SRAM)阵列的虚地节点维持在数据保持水平的系统，包括：用于产生阈值参考电压的阈值参考电压产生电路，阈值参考电压基于静态随机存取存储器阵列中的存储器单元晶体管的阈值电压；耦合到阈值参考电压产生电路以接收阈值参考电压并且输出等于正供给电压和倍增因数与存储器单元晶体管的阈值电压的乘积之间的差的虚地参考电压的乘法器电路；及耦合到乘法器电路以接收虚地参考电压并且将耦合到静态随机存取存储器阵列的虚地节点维持在虚地参考电压的虚地泄漏减小电路。